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[미국] JEDEC 솔리드 스테이트 기술 협회, 고대역폭 메모리(HBM) DRAM 표준의 차기 버전 JESD238 HBM3 표준 발표
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국제표준

[미국] JEDEC 솔리드 스테이트 기술 협회, 고대역폭 메모리(HBM) DRAM 표준의 차기 버전 JESD238 HBM3 표준 발표

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▲ JEDEC 솔리드 스테이트 기술 협회(JEDEC Solid State Technology Association) [출처=홈페이지]

 

미국 JEDEC 솔리드 스테이트 기술 협회(JEDEC Solid State Technology Association)에 따르면 2022년 1월 27일 고대역폭 메모리(HBM, High Bandwidth Memory) DRAM 표준의 차기 버전 JESD238 HBM3 표준을 발표했다.

HBM3는 더 높은 대역폭, 더 낮은 전력 소비, 영역당 용량은 그래픽 처리 및 고성능 컴퓨팅 및 서버를 포함해 솔루션의 시장 성공에 필수적인 어플리케이션에 사용되는 데이터 처리 속도를 높이기 위한 혁신적인 접근방식이다.

이 사양을 개발하기 위해 JEDEC 회원들과 협력을 통해 시장을 선도하는 컴퓨팅 플랫폼을 최적화하기 위해 첨단 메모리 스태킹 및 패키징 솔루션을 제공해온 마이크론(Micron)의 오랜 역사를 활용했다.

JESD238 HBM3 표준의 주요 속성은 HBM2의 입증된 아키텍처를 더 높은 대역폭으로 확장한다. 또한 HBM2 세대의 핀당(per-pin) 데이터 속도를 2배로 하고 장치당 819GB/s에 해당하는 최대 6.4Gb/sdml 데이터 속도를 규정하고 있다.

그리고 독립 채널수를 8(HBM2)에서 16으로 2배로 늘린다. 채널당 2개의 유사 채널을 가진 HBM3는 사실상 32채널을 지원한다. 4-high, 8-high, 12-high TSV 스택을 지원하며 향후 16-high TSV 스택으로 확장할 수 있다.

메모리 레이어당 8Gb ~ 32Gb를 기반으로 하는 광범위한 밀도를 지원하고 4GB (8Gb 4-high)에서 64GB (32Gb 16-high)까지 장치 밀도를 포괄하고 있다. 1세대 HBM3 장치는 16Gb 메모리 레이어를 기반으로 할 것으로 예상된다.

높은 플랫폼 수준의 RAS(신뢰성, 가용성, 서비스 가능성)에 대한 시장 요구를 해결하기 위해 HBM3는 실시간 오류 보고 및 투명성뿐만 아니라 강력한 기호 기반 ECC 온다이(On-Die)를 도입한다.

호스트 인터페이스에 관한 로우 스윙(0.4V) 신호 및 더 낮은 (1.1V) 작동 전압을 사용한 에너지 효율성을 향상시킨다. 

JEDEC은 마이크로일렉트로닉스 산업 표준 개발의 글로벌 리더로 한국의 삼성전기, 삼성전자, SK 하이닉스를 포함해 약 340개의 회원사들로 구성돼 있다.

이들을 대표하는 수천명의 자원 봉사자들이 100개 이상의 JEDEC 위원회에서 함께 활동한다. 산업 분야, 제조업체, 소비자 등 모두의 요구 사항을 충족시키기 위해 노력하고 있다.










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