▲ JEDEC 솔리드 스테이트 기술 협회(JEDEC Solid State Technology Association) 홈페이지

미국 JEDEC 솔리드 스테이트 기술 협회(JEDEC Solid State Technology Association)에 따르면 2022년 1월 27일 고대역폭 메모리(HBM, High Bandwidth Memory) DRAM 표준의 차기 버전 JESD238 HBM3 표준을 발표했다.

HBM3는 더 높은 대역폭, 더 낮은 전력 소비, 영역당 용량은 그래픽 처리 및 고성능 컴퓨팅 및 서버를 포함해 솔루션의 시장 성공에 필수적인 어플리케이션에 사용되는 데이터 처리 속도를 높이기 위한 혁신적인 접근방식이다.

이 사양을 개발하기 위해 JEDEC 회원들과 협력을 통해 시장을 선도하는 컴퓨팅 플랫폼을 최적화하기 위해 첨단 메모리 스태킹 및 패키징 솔루션을 제공해온 마이크론(Micron)의 오랜 역사를 활용했다.

JESD238 HBM3 표준의 주요 속성은 HBM2의 입증된 아키텍처를 더 높은 대역폭으로 확장한다. 또한 HBM2 세대의 핀당(per-pin) 데이터 속도를 2배로 하고 장치당 819GB/s에 해당하는 최대 6.4Gb/sdml 데이터 속도를 규정하고 있다.

그리고 독립 채널수를 8(HBM2)에서 16으로 2배로 늘린다. 채널당 2개의 유사 채널을 가진 HBM3는 사실상 32채널을 지원한다. 4-high, 8-high, 12-high TSV 스택을 지원하며 향후 16-high TSV 스택으로 확장할 수 있다.

메모리 레이어당 8Gb ~ 32Gb를 기반으로 하는 광범위한 밀도를 지원하고 4GB (8Gb 4-high)에서 64GB (32Gb 16-high)까지 장치 밀도를 포괄하고 있다. 1세대 HBM3 장치는 16Gb 메모리 레이어를 기반으로 할 것으로 예상된다.

높은 플랫폼 수준의 RAS(신뢰성, 가용성, 서비스 가능성)에 대한 시장 요구를 해결하기 위해 HBM3는 실시간 오류 보고 및 투명성뿐만 아니라 강력한 기호 기반 ECC 온다이(On-Die)를 도입한다.

호스트 인터페이스에 관한 로우 스윙(0.4V) 신호 및 더 낮은 (1.1V) 작동 전압을 사용한 에너지 효율성을 향상시킨다. 

JEDEC은 마이크로일렉트로닉스 산업 표준 개발의 글로벌 리더로 한국의 삼성전기, 삼성전자, SK 하이닉스를 포함해 약 340개의 회원사들로 구성돼 있다.

이들을 대표하는 수천명의 자원 봉사자들이 100개 이상의 JEDEC 위원회에서 함께 활동한다. 산업 분야, 제조업체, 소비자 등 모두의 요구 사항을 충족시키기 위해 노력하고 있다.